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IXFN100N10S3
- Modello di prodotti:
- IXFN100N10S3
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18326 Pieces
- Scheda dati:
- IXFN100N10S3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227B |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 360W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXFN100N10S3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4500pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 100A 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFN100N10S3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 | Inchiesta |
 |
IXFN100N10S2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN106N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN100N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN102N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B | Inchiesta |
|
IXFN100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN180N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN100N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN100N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 | Inchiesta |
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