IXFN230N20T
IXFN230N20T
Modello di prodotti:
IXFN230N20T
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19485 Pieces
Scheda dati:
IXFN230N20T.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:GigaMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:7.5 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1090W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFN230N20T
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:28000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:378nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 220A 1090W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:220A
Email:[email protected]

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