Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFN64N60P
IXFN64N60P
IXFN64N60P
Modello di prodotti:
IXFN64N60P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17580 Pieces
Scheda dati:
IXFN64N60P.pdf
Inchiesta

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per IXFN64N60P, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXFN64N60P via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare IXFN64N60P con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:PolarHV™
Rds On (max) a Id, Vgs:96 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):700W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFN64N60P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 50A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per IXFN64N60P

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IPB14N03LA Image IPB14N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK Inchiesta
IXFN60N60 Image IXFN60N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B Inchiesta
SK8403180L Image SK8403180L Panasonic Electronic Components MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO Inchiesta
IXFN66N50Q2 Image IXFN66N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B Inchiesta
IXFN66N85X Image IXFN66N85X IXYS 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS Inchiesta
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B Inchiesta
AOB2906 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V TO-263 Inchiesta
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 Inchiesta
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 Inchiesta
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B Inchiesta
RFD12N06RLE Image RFD12N06RLE Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 18A IPAK Inchiesta
NTD3055L170-1G Image NTD3055L170-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 9A IPAK Inchiesta
DMTH3004LPSQ-13 Image DMTH3004LPSQ-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 30V 22A POWERDI Inchiesta
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B Inchiesta
DMN65D8LQ-7 Image DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V SOT23 Inchiesta
IXTH60N15 Image IXTH60N15 IXYS MOSFET N-CH 150V 60A TO-247 Inchiesta
STE40NK90ZD Image STE40NK90ZD STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP Inchiesta

Latest Notizie