IXFP7N80PM
IXFP7N80PM
Modello di prodotti:
IXFP7N80PM
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16650 Pieces
Scheda dati:
IXFP7N80PM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.44 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFP7N80PM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 3.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.5A (Tc)
Email:[email protected]

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