IXFQ28N60P3
IXFQ28N60P3
Modello di prodotti:
IXFQ28N60P3
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13635 Pieces
Scheda dati:
IXFQ28N60P3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:HiPerFET™, Polar3™
Rds On (max) a Id, Vgs:260 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max):695W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFQ28N60P3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3560pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 28A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-3P
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

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