Acquistare IXFT30N85XHV con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 2.5mA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-268 (IXFT) |
Serie: | HiPerFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 220 mOhm @ 500mA, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 695W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
codice articolo del costruttore: | IXFT30N85XHV |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2460pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 850V 30A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 850V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |