IXFX14N100
IXFX14N100
Modello di prodotti:
IXFX14N100
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12175 Pieces
Scheda dati:
IXFX14N100.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:750 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):360W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFX14N100
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 14A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

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