IXFX24N100F
IXFX24N100F
Modello di prodotti:
IXFX24N100F
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1KV 24A PLUS247-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16138 Pieces
Scheda dati:
IXFX24N100F.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS247™-3
Serie:HiPerRF™
Rds On (max) a Id, Vgs:390 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):560W (Tc)
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFX24N100F
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:195nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 24A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1KV 24A PLUS247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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