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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFX60N55Q2
IXFX60N55Q2
IXFX60N55Q2
Modello di prodotti:
IXFX60N55Q2
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16750 Pieces
Scheda dati:
IXFX60N55Q2.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 8mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:88 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):735W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFX60N55Q2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 550V 60A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Tensione drain-source (Vdss):550V
Descrizione:MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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