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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV
Modello di prodotti:
IXTA1N200P3HV
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17024 Pieces
Scheda dati:
IXTA1N200P3HV.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (IXTA)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:40 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTA1N200P3HV
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:646pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 2000V (2kV) 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):2000V (2kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

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