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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTA260N055T2-7
IXTA260N055T2-7
IXTA260N055T2-7
Modello di prodotti:
IXTA260N055T2-7
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 260A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16628 Pieces
Scheda dati:
IXTA260N055T2-7.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263-7 (IXTA..7)
Serie:TrenchT2™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.3 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):480W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTA260N055T2-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:140nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 260A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7)
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 260A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:260A (Tc)
Email:[email protected]

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