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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTA76P10T
IXTA76P10T
IXTA76P10T
Modello di prodotti:
IXTA76P10T
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18131 Pieces
Scheda dati:
IXTA76P10T.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (IXTA)
Serie:TrenchP™
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):298W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTA76P10T
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:197nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 100V 76A (Tc) 298W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:76A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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