IXTB62N50L
IXTB62N50L
Modello di prodotti:
IXTB62N50L
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13097 Pieces
Scheda dati:
IXTB62N50L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS264™
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 31A, 20V
Dissipazione di potenza (max):800W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXTB62N50L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:550nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 62A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):20V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:62A (Tc)
Email:[email protected]

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