IXTH10P60
IXTH10P60
Modello di prodotti:
IXTH10P60
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19058 Pieces
Scheda dati:
IXTH10P60.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 (IXTH)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1 Ohm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:Q1152201
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
codice articolo del costruttore:IXTH10P60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:160nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 600V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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