IXTH1N200P3HV
IXTH1N200P3HV
Modello di prodotti:
IXTH1N200P3HV
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19370 Pieces
Scheda dati:
IXTH1N200P3HV.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247HV
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:40 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTH1N200P3HV
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:646pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 2000V (2kV) 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247HV
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):2000V (2kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

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