IXTH32P20T
IXTH32P20T
Modello di prodotti:
IXTH32P20T
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18565 Pieces
Scheda dati:
IXTH32P20T.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 (IXTH)
Serie:TrenchP™
Rds On (max) a Id, Vgs:130 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTH32P20T
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:14500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:185nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 200V 32A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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