IXTL2X180N10T
Modello di prodotti:
IXTL2X180N10T
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12846 Pieces
Scheda dati:
IXTL2X180N10T.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:ISOPLUSi5-Pak™
Serie:Trench™
Rds On (max) a Id, Vgs:7.4 mOhm @ 50A, 10V
Potenza - Max:150W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:ISOPLUSi5-Pak™
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXTL2X180N10T
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:151nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 100A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A
Email:[email protected]

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