IXTP12N50PM
IXTP12N50PM
Modello di prodotti:
IXTP12N50PM
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16063 Pieces
Scheda dati:
IXTP12N50PM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:Polar™
Rds On (max) a Id, Vgs:500 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXTP12N50PM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1830pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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