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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTQ10P50P
IXTQ10P50P
IXTQ10P50P
Modello di prodotti:
IXTQ10P50P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12559 Pieces
Scheda dati:
IXTQ10P50P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:PolarP™
Rds On (max) a Id, Vgs:1 Ohm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTQ10P50P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2840pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 500V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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Parti relative per IXTQ10P50P

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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