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IXTQ60N20L2
- Modello di prodotti:
- IXTQ60N20L2
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza esenzione da piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19512 Pieces
- Scheda dati:
- IXTQ60N20L2.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXTQ60N20L2, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXTQ60N20L2 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P |
| Serie: | Linear L2™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 45 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 540W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTQ60N20L2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10500pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 255nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 60A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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