IXTR102N65X2
IXTR102N65X2
Modello di prodotti:
IXTR102N65X2
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12521 Pieces
Scheda dati:
IXTR102N65X2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ISOPLUS247™
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:33 mOhm @ 51A, 10V
Dissipazione di potenza (max):330W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:ISOPLUS247™
Altri nomi:632316
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTR102N65X2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:152nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 54A (Tc) 330W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:54A (Tc)
Email:[email protected]

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