Acquistare IXTT12N140 con BYCHPS
Acquista con garanzia
IXTT12N140
- Modello di prodotti:
- IXTT12N140
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17329 Pieces
- Scheda dati:
- IXTT12N140.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXTT12N140, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXTT12N140 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-268 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2 Ohm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 890W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXTT12N140 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3720pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 106nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1400V (1.4kV) 12A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1400V (1.4kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXTT12N140
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTT1N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT12N150HV | IXYS | MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 | Inchiesta |
|
IXTT140P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT12N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 | Inchiesta |
|
IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT1N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 | Inchiesta |
|
IXTT16N10D2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT16N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT1N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV | Inchiesta |
|
IXTT170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT1N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | Inchiesta |
|
IXTT16P20 | IXYS | MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | Inchiesta |
|
IXTT16N20D2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers