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IXTU02N50D
- Modello di prodotti:
- IXTU02N50D
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12741 Pieces
- Scheda dati:
- IXTU02N50D.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXTU02N50D, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXTU02N50D via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 25µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-251 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTU02N50D |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Depletion Mode |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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