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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTX1R4N450HV
IXTX1R4N450HV
IXTX1R4N450HV
Modello di prodotti:
IXTX1R4N450HV
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza esenzione da piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15856 Pieces
Scheda dati:
IXTX1R4N450HV.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:6V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247HV
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:40 Ohm @ 50mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):960W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTX1R4N450HV
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:88nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 4500V (4.5kV) 1.4A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247HV
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):4500V (4.5kV)
Descrizione:2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

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