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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTX22N100L
IXTX22N100L
IXTX22N100L
Modello di prodotti:
IXTX22N100L
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15313 Pieces
Scheda dati:
IXTX22N100L.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS247™-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 11A, 20V
Dissipazione di potenza (max):700W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXTX22N100L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7050pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 22A (Tc) 700W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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