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IXTY1N80
- Modello di prodotti:
- IXTY1N80
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13717 Pieces
- Scheda dati:
- IXTY1N80.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXTY1N80, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXTY1N80 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 25µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252AA |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 40W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTY1N80 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 220pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 750mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXTY1N80
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMP2066LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.5A TSOT26 | Inchiesta |
 |
IXTY1N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 | Inchiesta |
|
IXTY10P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | Inchiesta |
 |
IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | Inchiesta |
|
IXTY18P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 | Inchiesta |
|
IXTY1N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | Inchiesta |
|
IXTY1R4N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK | Inchiesta |
|
IXTY12N06T | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | Inchiesta |
|
IXTY15P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 | Inchiesta |
 |
IXTQ200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P | Inchiesta |
|
IXTY12N06TTRL | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | Inchiesta |
|
IXTY15N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 | Inchiesta |
|
IXTY1R6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | Inchiesta |
|
IXTY1R6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | Inchiesta |
|
IXTY1N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 | Inchiesta |
 |
BSH112,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | Inchiesta |
|
IXTY1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 | Inchiesta |
|
IXTY1R4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 | Inchiesta |
|
IXTY1R6N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | Inchiesta |
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