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JAN1N5417US
- Modello di prodotti:
- JAN1N5417US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 18210 Pieces
- Scheda dati:
- JAN1N5417US.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 200V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | B, SQ-MELF |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 150ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SQ-MELF, B |
| Altri nomi: | 1086-2089 1086-2089-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | JAN1N5417US |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 200V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1µA @ 200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 3A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JAN1N5417US
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5417 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Inchiesta |
|
JAN1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5416US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | Inchiesta |
|
JAN1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5418US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Inchiesta |
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