JAN1N5804URS
Modello di prodotti:
JAN1N5804URS
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 100V 1A APKG
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
13857 Pieces
Scheda dati:
JAN1N5804URS.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:875mV @ 1A
Tensione - inversa (Vr) (max):100V
Contenitore dispositivo fornitore:A-MELF
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/477
Tempo di ripristino inverso (trr):25ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, A
Altri nomi:1086-19432
1086-19432-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:JAN1N5804URS
Descrizione espansione:Diode Standard 100V 1A Surface Mount A-MELF
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 100V 1A APKG
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1µA @ 100V
Corrente - raddrizzata media (Io):1A
Capacità a Vr, F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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