JAN2N6798
Modello di prodotti:
JAN2N6798
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
18414 Pieces
Scheda dati:
JAN2N6798.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-39
Serie:Military, MIL-PRF-19500/557
Rds On (max) a Id, Vgs:420 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):800mW (Ta), 25W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-205AF Metal Can
Altri nomi:JAN2N6798-MIL
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:JAN2N6798
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:42.07nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

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