JAN2N6849U
Modello di prodotti:
JAN2N6849U
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET P-CH 18-LCC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
18202 Pieces
Scheda dati:
JAN2N6849U.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:18-ULCC (9.14x7.49)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/564
Rds On (max) a Id, Vgs:320 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):800mW (Ta), 25W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:18-BQFN Exposed Pad
Altri nomi:JAN2N6849U-MIL
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:JAN2N6849U
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:34.8nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET P-CH 18-LCC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.5A (Tc)
Email:[email protected]

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