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JDP2S12CR(TE85L,Q
- Modello di prodotti:
- JDP2S12CR(TE85L,Q
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15136 Pieces
- Scheda dati:
- JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Picco inversa (max): | 180V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Serie: | - |
| Resistenza a If, F: | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SOD-123F |
| Altri nomi: | JDP2S12CR(TE85LQ)DKR JDP2S12CR(TE85LQ)DKR-ND JDP2S12CR(TE85LQDKR JDP2S12CR(TE85LQMDKR JDP2S12CR(TE85LQMDKR-ND |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | JDP2S12CR(TE85L,Q |
| Descrizione espansione: | RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5) |
| Tipo diodo: | PIN - Single |
| Descrizione: | DIODE PIN 180V 1A S-FLAT |
| Corrente - Max: | 1A |
| Capacità a Vr, F: | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JDP2S12CR(TE85L,Q
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
JDP2S02AFS(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE PIN 30V 50MA FSC | Inchiesta |
 |
HSMP-3823-TR2G | Broadcom Limited | DIODE PIN SWITCH 50V SOT-23 | Inchiesta |
 |
JDP2S08SC(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE PIN 30V 50MA SC2 | Inchiesta |
 |
BAT 15-099LRH E6327 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 4V 110MA TSLP-4 | Inchiesta |
 |
BA782S-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BAND SW 100MA SOD323 | Inchiesta |
 |
JDP2S02ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE PIN 30V 50MA CTS2 | Inchiesta |
 |
BAR 50-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 50V 100MA SC-79 | Inchiesta |
 |
RN739DT146 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN HF SW 50V 50MA SOT-346 | Inchiesta |
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