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LET9180
- Modello di prodotti:
- LET9180
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- IC RF TRANSISTOR LDMOS M246
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18621 Pieces
- Scheda dati:
- LET9180.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 32V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 80V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | M246 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 175W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | M246 |
| Altri nomi: | 497-14586 LET9180-ND |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | LET9180 |
| Guadagno: | 20dB |
| Frequenza: | 860MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 32V 500mA 860MHz 20dB 175W M246 |
| Descrizione: | IC RF TRANSISTOR LDMOS M246 |
| Valutazione attuale: | 24A |
| Corrente - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per LET9180
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
GTVA220701FAV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | Inchiesta |
 |
MRF6S9045MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | Inchiesta |
 |
J309_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 30MA TO92 | Inchiesta |
 |
BF1201WR,135 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | Inchiesta |
 |
PTFA212401F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | Inchiesta |
 |
MAGX-002731-180L00 | M/A-Com Technology Solutions | FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ | Inchiesta |
 |
PTFA041501GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 | Inchiesta |
 |
LET9150 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 20A M-246 | Inchiesta |
 |
MRFE6S9045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 | Inchiesta |
|
MRF7S21170HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | Inchiesta |
|
LET9120 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 18A M-246 | Inchiesta |
|
BF1204,135 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | Inchiesta |
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