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M58WR064EB70ZB6
- Modello di prodotti:
- M58WR064EB70ZB6
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17795 Pieces
- Scheda dati:
- M58WR064EB70ZB6.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 1.65 V ~ 2.2 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 56-VFBGA (7.7x9) |
| Velocità: | 70ns |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 56-VFBGA |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 64Mb (4M x 16) |
| Formato di memoria: | FLASH |
| codice articolo del costruttore: | M58WR064EB70ZB6 |
| Interfaccia: | Parallel |
| Descrizione: | IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per M58WR064EB70ZB6
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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M58WR064KT7AZB6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA | Inchiesta |
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M58WR064KB70ZB6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA | Inchiesta |
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M58WR064KU70D16 | Micron Technology Inc. | IC FLASH PAR NOR SLC 64M DIE | Inchiesta |
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M58WR064KT70D16 | Micron Technology Inc. | IC FLASH PAR NOR SLC 64M DIE | Inchiesta |
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M58WR064KB7AZB6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA | Inchiesta |
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M58WR064KT7AZB6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA | Inchiesta |
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M58WR064KU70ZA6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64MBIT 70NS 88VFBGA | Inchiesta |
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M58WR064KT70ZB6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA | Inchiesta |
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M58WR064KB70ZB6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA | Inchiesta |
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M58WR064KU70ZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64MBIT 70NS 88VFBGA | Inchiesta |
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M58WR064KB7AZB6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA | Inchiesta |
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