MBR600200CT
MBR600200CT
Modello di prodotti:
MBR600200CT
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15149 Pieces
Scheda dati:
MBR600200CT.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:920mV @ 300A
Tensione - inversa (Vr) (max):200V
Contenitore dispositivo fornitore:Twin Tower
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Twin Tower
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:MBR600200CT
Descrizione espansione:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 300A Chassis Mount Twin Tower
Tipo diodo:Schottky
Configurazione diodo:1 Pair Common Cathode
Descrizione:DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Corrente - Dispersione inversa a Vr:3mA @ 200V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):300A
Email:[email protected]

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