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MBT35200MT1G
- Modello di prodotti:
- MBT35200MT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15758 Pieces
- Scheda dati:
- MBT35200MT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 35V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 310mV @ 20mA, 2A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 625mW |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 |
| Altri nomi: | MBT35200MT1GOSDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 9 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | MBT35200MT1G |
| Frequenza - transizione: | 100MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP |
| Descrizione: | TRANS PNP 35V 2A 6TSOP |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MBT35200MT1G
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