MCH6602-TL-E
MCH6602-TL-E
Modello di prodotti:
MCH6602-TL-E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18692 Pieces
Scheda dati:
MCH6602-TL-E.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Contenitore dispositivo fornitore:6-MCPH
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Potenza - Max:800mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-SMD, Flat Leads
Altri nomi:MCH6602-TL-E-ND
MCH6602-TL-EOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:MCH6602-TL-E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.58nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 350mA 800mW Surface Mount 6-MCPH
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:350mA
Email:[email protected]

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