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MD7P19130HR3
- Modello di prodotti:
- MD7P19130HR3
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17634 Pieces
- Scheda dati:
- MD7P19130HR3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | NI-780-4 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 40W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | NI-780-4 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | MD7P19130HR3 |
| Guadagno: | 20dB |
| Frequenza: | 1.99GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.25A 1.99GHz 20dB 40W NI-780-4 |
| Descrizione: | FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4 |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.25A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MD7P19130HR3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Inchiesta |
 |
MD7P19130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4 | Inchiesta |
 |
MD7P19130HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4 | Inchiesta |
|
MD7P19130HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4 | Inchiesta |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Inchiesta |
 |
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
 |
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | Inchiesta |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Inchiesta |
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