MDS60L - Microsemi Corporation - Transistor-bipolare (BJT)-RF MDS60L

MDS60L

Modello di prodotti:: MDS60L

fabbricante:: Microsemi

Descrizione:: TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1

Stato Lead senza piombo / RoHS:: Senza piombo / RoHS conforme

quantità disponibile:: 12759 Pieces

Scheda dati:: MDS60L.pdf

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	65V
Tipo transistor:	NPN
Contenitore dispositivo fornitore:	55AW
Serie:	-
Potenza - Max:	120W
imballaggio:	Bulk
Contenitore / involucro:	55AW
temperatura di esercizio:	200°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f):	-
Tipo montaggio:	Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:	MDS60L
Guadagno:	10dB
Frequenza - transizione:	1.03GHz ~ 1.09GHz
Descrizione espansione:	RF Transistor NPN 65V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 120W Chassis Mount 55AW
Descrizione:	TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:	20 @ 500mA, 5V
Corrente - collettore (Ic) (max):	4A
Email:	[email protected]

Parti relative per MDS60L

Modello di prodotti	Produttori	Descrizione	vista
AT-42036-TR1G	Broadcom Limited	TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD	Inchiesta
BFP420H6433XTMA1	Infineon Technologies	TRANS RF NPN 25GHZ 4.5V SOT343	Inchiesta
MMBTH24-7-F	Diodes Incorporated	TRANS NPN 40V 50MA SOT23-3	Inchiesta
SD1275-01	STMicroelectronics	TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M113	Inchiesta
BF494	Fairchild/ON Semiconductor	TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92	Inchiesta
AT-41500-GP4	Broadcom Limited	IC TRANS NPN GP BIPOLAR 86PP	Inchiesta

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