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MJD122T4
- Modello di prodotti:
- MJD122T4
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14970 Pieces
- Scheda dati:
- MJD122T4.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 100V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 4V @ 80mA, 8A |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK-3 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 1.75W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | MJD122T4OSDKR |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MJD122T4 |
| Frequenza - transizione: | 4MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3 |
| Descrizione: | TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 4A, 4V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 10µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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