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MMBF2201NT1G
- Modello di prodotti:
- MMBF2201NT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15329 Pieces
- Scheda dati:
- MMBF2201NT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-70-3 (SOT323) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1 Ohm @ 300mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi: | MMBF2201NT1GOS MMBF2201NT1GOS-ND MMBF2201NT1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MMBF2201NT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 45pF @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MMBF2201NT1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MMBF2202PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT323 | Inchiesta |
|
MMBF2202PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT-323 | Inchiesta |
 |
AUIRL1404ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | Inchiesta |
 |
SI7374DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | Inchiesta |
|
MMBF2201NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 | Inchiesta |
 |
NDT3055L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 | Inchiesta |
 |
2SK2967(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN | Inchiesta |
 |
NTB5605PT4 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | Inchiesta |
 |
SIA811DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Inchiesta |
 |
APT5518BFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 | Inchiesta |
|
IRFZ34NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK | Inchiesta |
 |
SIS468DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8 | Inchiesta |
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