MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G
Modello di prodotti:
MMBFJ177LT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17352 Pieces
Scheda dati:
MMBFJ177LT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id:800mV @ 10nA
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS):30V
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistenza - RDS (on):300 Ohm
Potenza - Max:225mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:MMBFJ177LT1GOS
MMBFJ177LT1GOS-ND
MMBFJ177LT1GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:MMBFJ177LT1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11pF @ 10V (VGS)
Tipo FET:P-Channel
Descrizione espansione:JFET P-Channel 1.5mA @ 15V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0):1.5mA @ 15V
Email:[email protected]

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