MMBTA13LT1
MMBTA13LT1
Modello di prodotti:
MMBTA13LT1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
14817 Pieces
Scheda dati:
MMBTA13LT1.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):30V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.5V @ 100µA, 100mA
Tipo transistor:NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Potenza - Max:225mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:MMBTA13LT1OSCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:MMBTA13LT1
Frequenza - transizione:125MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 300mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descrizione:TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:10000 @ 100mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):300mA
Email:[email protected]

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