MMBTA63LT1G
MMBTA63LT1G
Modello di prodotti:
MMBTA63LT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15512 Pieces
Scheda dati:
MMBTA63LT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):30V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.5V @ 100µA, 100mA
Tipo transistor:PNP - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Potenza - Max:225mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:MMBTA63LT1GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:MMBTA63LT1G
Frequenza - transizione:125MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30V 500mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descrizione:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:10000 @ 100mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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