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MRF282SR1
- Modello di prodotti:
- MRF282SR1
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 65V 2GHZ NI-200S
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13607 Pieces
- Scheda dati:
- MRF282SR1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 26V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | NI-200S |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 10W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | NI-200S |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | MRF282SR1 |
| Guadagno: | 11.5dB |
| Frequenza: | 2GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 26V 75mA 2GHz 11.5dB 10W NI-200S |
| Descrizione: | FET RF 65V 2GHZ NI-200S |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 75mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MRF282SR1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
ARF443 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD | Inchiesta |
 |
MRF281SR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S | Inchiesta |
 |
MRF6P27160HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 | Inchiesta |
 |
MRF18060ALR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI-780 | Inchiesta |
|
MRF281ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z | Inchiesta |
 |
MRF7S19120NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 | Inchiesta |
|
MRF282ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2GHZ NI-200Z | Inchiesta |
 |
BLC8G27LS-100AVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 | Inchiesta |
|
AFT21H350W03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S | Inchiesta |
 |
PTFB090901EAV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
|
MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | Inchiesta |
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