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MRF6S19200HSR5
- Modello di prodotti:
- MRF6S19200HSR5
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 66V 1.99GHZ NI780S
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14208 Pieces
- Scheda dati:
- MRF6S19200HSR5.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 66V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | NI-780S |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 56W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | NI-780S |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | MRF6S19200HSR5 |
| Guadagno: | 17.9dB |
| Frequenza: | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.9dB 56W NI-780S |
| Descrizione: | FET RF 66V 1.99GHZ NI780S |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MRF6S19200HSR5
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S19200HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 1.99GHZ NI780 | Inchiesta |
|
MRF6S19200HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 1.99GHZ NI780 | Inchiesta |
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MRF6S19200HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 1.99GHZ NI780S | Inchiesta |
|
MRF6S19100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S | Inchiesta |
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MRF6S19120HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 | Inchiesta |
 |
MRF6S19100NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 | Inchiesta |
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MRF6S19100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 | Inchiesta |
|
MRF6S19100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 | Inchiesta |
 |
MRF6S19140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880 | Inchiesta |
|
MRF6S19060NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 | Inchiesta |
|
MRF6S19060MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 | Inchiesta |
|
MRF6S19120HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 | Inchiesta |
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