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MRF7S21110HR3
- Modello di prodotti:
- MRF7S21110HR3
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18019 Pieces
- Scheda dati:
- MRF7S21110HR3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | NI-780 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 33W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | NI-780 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MRF7S21110HR3 |
| Guadagno: | 17.3dB |
| Frequenza: | 2.17GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 2.17GHz 17.3dB 33W NI-780 |
| Descrizione: | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MRF7S21110HR3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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MRF7S21150HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780S | Inchiesta |
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MRF7S21110HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | Inchiesta |
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MRF7S21170HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | Inchiesta |
|
MRF7S21150HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | Inchiesta |
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MRF7S21210HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | Inchiesta |
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MRF7S21110HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | Inchiesta |
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MRF7S21150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | Inchiesta |
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MRF7S21110HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | Inchiesta |
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MRF7S21170HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | Inchiesta |
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MRF7S21150HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | Inchiesta |
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MRF7S21170HS | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | Inchiesta |
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MRF7S21170HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-88OS | Inchiesta |
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MRF7S21170HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | Inchiesta |
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