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MRF8S21200HR6
- Modello di prodotti:
- MRF8S21200HR6
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12841 Pieces
- Scheda dati:
- MRF8S21200HR6.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | NI-1230 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 48W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | NI-1230 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | MRF8S21200HR6 |
| Guadagno: | 18.1dB |
| Frequenza: | 2.14GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.4A 2.14GHz 18.1dB 48W NI-1230 |
| Descrizione: | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.4A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MRF8S21200HR6
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF8S21200HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS | Inchiesta |
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MRF8S21200HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS | Inchiesta |
 |
MRF8S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS | Inchiesta |
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MRF8S21140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780 | Inchiesta |
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MRF8S21140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780 | Inchiesta |
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MRF8S21100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780S | Inchiesta |
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MRF8S21200HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230H | Inchiesta |
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MRF8S21100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780H | Inchiesta |
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MRF8S21120HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780H | Inchiesta |
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MRF8S21120HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS | Inchiesta |
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MRF8S21140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780S | Inchiesta |
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MRF8S21140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780S | Inchiesta |
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