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MRFE6VP6300HSR5
- Modello di prodotti:
- MRFE6VP6300HSR5
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18200 Pieces
- Scheda dati:
- MRFE6VP6300HSR5.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 50V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 130V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | NI-780S-4 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 300W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | NI-780S-4 |
| Altri nomi: | 935314385178 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | MRFE6VP6300HSR5 |
| Guadagno: | 26.5dB |
| Frequenza: | 230MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780S-4 |
| Descrizione: | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MRFE6VP6300HSR5
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP6600GNR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | Inchiesta |
 |
MRFE6VP6300HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 | Inchiesta |
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MRFE6VP6300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | Inchiesta |
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MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | Inchiesta |
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MRFE6VP6300GSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 50V 600MHZ NI780-4 | Inchiesta |
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MRFE6VP6600NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | Inchiesta |
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MRFE6VP6300HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | Inchiesta |
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MRFE6VP61K25HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | Inchiesta |
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MRFE6VP61K25GNR6 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 1250W 50V | Inchiesta |
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MRFE6VP61K25HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S | Inchiesta |
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