MSRT20060(A)D
MSRT20060(A)D
Modello di prodotti:
MSRT20060(A)D
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12231 Pieces
Scheda dati:
MSRT20060(A)D.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.1V @ 200A
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:Three Tower
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Three Tower
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:MSRT20060(A)D
Descrizione espansione:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 200A Chassis Mount Three Tower
Tipo diodo:Standard
Configurazione diodo:1 Pair Series Connection
Descrizione:DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Corrente - Dispersione inversa a Vr:10µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):200A
Email:[email protected]

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