Acquistare MTD6N15T4G con BYCHPS
Acquista con garanzia
MTD6N15T4G
- Modello di prodotti:
- MTD6N15T4G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13943 Pieces
- Scheda dati:
- MTD6N15T4G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per MTD6N15T4G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MTD6N15T4G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 300 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.25W (Ta), 20W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | MTD6N15T4GOS MTD6N15T4GOS-ND MTD6N15T4GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MTD6N15T4G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 150V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DPAK-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 150V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 150V 6A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MTD6N15T4G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MTD6N15T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 6A DPAK | Inchiesta |
 |
BUK7Y22-100EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK | Inchiesta |
|
MTD6N15T4GV | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 5A DPAK | Inchiesta |
 |
SPP80N06S2L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Inchiesta |
|
MTD6N20ET4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK | Inchiesta |
 |
2N7002,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | Inchiesta |
 |
NTMS4937NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC | Inchiesta |
 |
SI5853DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 | Inchiesta |
 |
JANTXV2N6782U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 3.5A | Inchiesta |
|
MTD6N20ET5G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK | Inchiesta |
 |
IRF7853PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC | Inchiesta |
|
MTD6N20ET4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK | Inchiesta |
 |
PSMN3R3-80PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB | Inchiesta |
 |
IXFN40N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers